افزایش چسبندگی سطحی لایهنازک اکسیدگرافن روی بستر سیلیکون آبگریز
نویسندگان
چکیده مقاله:
در این تحقیق، لایههای اکسیدگرافن[1] باردار توسط روش رایج اصلاح شده هامر[2]، سنتز گردید. لایهنازک اکسیدگرافن به روش لایهنشانی الکتروفورتیک[3] توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسیدگرافن روی زیرلایه سیلیکون[4] لایهنشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایههای اکسیدگرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسیدگرافن لایهنشانی شده در دمای ºC400 تحت جریان آرگونانجام شد. الگوی پراش اشعهی ایکس عاملدار شدن لایههای گرافیت با گروههای عاملی اکسیژنی و افزایش موفقیتآمیز فاصله بین صفحهای توسط متد هامر اصلاح شده را تایید میکند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی از نمونه لایهنشانی شده روی بستر سیلکون اصلاح نشده، لایهنشانی غیر یکنواخت و جزئی اکسیدگرافن را نشان میدهد. بهبود میزان چسبندگی و لایهنشانی یکنواخت لایهنازک اکسیدگرافن پس از اصلاح سطح سیلیکون توسط ذرات نقره حاصل شد. طیفسنجی رامان حاصل از این نمونه شکلگیری لایهنازک اکسیدگرافن احیا شده را تایید میکند.
منابع مشابه
حذف فسفات از آب توسط جذب سطحی بر روی نانوذرات اکسیدگرافن
زمینه و هدف: اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯿﺰان ﻓﺴﻔﺎت در ﻣﺤﯿﻂ ﻫﺎی آﺑﯽ ﺗﻮازن رﺷﺪ ﻣﻮﺟﻮدات آﺑﺰی را ﺑﻪ ﻫﻢ ﻣﯽ زﻧﺪ و ﻣﺸﮑﻼت زﯾﺴﺖ ﻣﺤﯿﻄﯽ ﺟﺪی را اﯾﺠﺎد ﻣﯽ ﮐﻨﺪ. در این مطالعه هدف بررسی آزمایشگاهی حذف یون فسفات با استفاده از نانوذرات اکسیدگرافن می باشد. روش بررسی: جاذب مورد استفاده در این تحقیق گرافن بوده که ابتدا به سنتز اکسید گرافن توسط مدل هامر پرداخته شد.جاذب سنتز شده به دلیل دارا بودن...
متن کاملبهینه سازی رشد نانومیله های یکنواختZnO بر روی بستر سیلیکون بذردار به روش رسوب حمام شیمیایی
نانومیله های اکسیدروی به روش رسوب حمام شیمیایی (CBD) روی بستر سیلیکون بذردار به صورت عمودی و یکنواخت رشد داده شدند. از لایه نازک اکسیدروی که به روش کندوپاش بر روی بستر سیلیکونی لایه نشانی شد به عنوان لایه بذر استفاده شد. اثرات دما و زمان رشد بر خواص ساختاری و مورفولوژیکی نانومیله های اکسید روی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراش اشعه ایکس بررسی شد. مطالعات انجام شده نشان داد که است...
متن کاملسنتز نانوهرمهای SnO2با روش هیدروترمال بر روی بستر سیلیکونی نانوساختار و مطالعه اثر مورفولوژی سیلیکون
در این پژوهش، نانوهرمهای اکسید قلع را با روش هیدروترمال در درجه حرارت پایین بر روی دو بستر سیلیکونی ساده و نانوساختار رشد شد. برای نانوساختار کردن بستر سیلیکونی، که اصطلاحا نانوخار سیلیکونی نامیده میشود، از روش زدایش فاز پلاسما استفاده گردید. مقایسه تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نانوهرمهای سنتز شده بر روی بستر ساده و هم چنین نانوهرمهای سنتز شده بر روی بسترنانوساختار سیلیکونی تفاوته...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 7 شماره 1
صفحات 29- 33
تاریخ انتشار 2018-05-22
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023